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管狀電加熱器 JGQ4-0.8KW/220V
管狀電加熱器 JGQ4-0.8KW/220V場(chǎng)效應(yīng)管的源極S和漏極D結(jié)構(gòu)是對(duì)稱的,在使用中可以互換N溝道型場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)應(yīng)NPN型三極管,P溝道型場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)應(yīng)PNP型三極管。常見場(chǎng)效應(yīng)管的外形如圖2-84所示,其圖形符號(hào)如圖2-85所示。場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)可掃二維碼學(xué)習(xí)。
品牌 | 萬安電熱電器 |
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管狀電加熱器 JGQ4-0.8KW/220V概述:
命電工電路識(shí)圖、布線、接線與維修
(2)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管以一塊P型薄硅片為
面做兩個(gè)高雜質(zhì)的N型區(qū),分別作為源極S和漏極D
覆蓋一層絕緣物,然后再用金屬鋁引出一個(gè)電極G(
就是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu),其結(jié)構(gòu)如圖28所
29.2場(chǎng)效應(yīng)管的選配、代換及應(yīng)用
(1)場(chǎng)效應(yīng)管的選配與代換場(chǎng)效應(yīng)管損壞后,
型、同特性、同外形的場(chǎng)效應(yīng)管更換。如果沒有同
管,則可以采用其他型號(hào)的場(chǎng)效應(yīng)管代換。
般N溝道場(chǎng)效應(yīng)管與N溝道場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行代換,P
應(yīng)管與P溝道場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行代換,大功率場(chǎng)效應(yīng)管可以代換
場(chǎng)效應(yīng)管。小功率場(chǎng)效應(yīng)管代換時(shí),應(yīng)考慮其輸入阻抗、
導(dǎo)、夾斷電壓或開啟電壓、擊穿電壓等參數(shù);大功率場(chǎng)效應(yīng)管
時(shí),應(yīng)考慮其擊穿電壓(應(yīng)為功放工作電壓的2倍以上)、耗
率(應(yīng)達(dá)到放大器輸出功率的0.5~1倍)、漏極電流等參數(shù)
彩色電視機(jī)的高頻調(diào)諧器、半導(dǎo)體收音機(jī)的變頻器等高頻
般采用雙柵場(chǎng)效應(yīng)管,音頻放大器的差分輸入、調(diào)制、放大
抗變換等電路通常采用結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。音頻功率放大、開關(guān)電
路、鎮(zhèn)流器、駐電器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路則采用MOS場(chǎng)效應(yīng)管
(2)場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用
①雙柵場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用。如圖288所示,V為雙柵場(chǎng)效應(yīng)
在電路中起放大作用
管狀電加熱器 JGQ4-0.8KW/220VMOSFET的應(yīng)用。 MOSFET應(yīng)用于電源電路如圖2-89所示
該電路由P溝道功率 MOSFET、運(yùn)算放大器、電流檢測(cè)電阻
組成。工作原理如下:運(yùn)放CA3140組成同相端輸入放大器。當(dāng)
流源輸出電流經(jīng)負(fù)載R及Rs,在Rs上產(chǎn)生的電壓(R3D)輸入
相端,經(jīng)放大后直接控制P管的柵極G而組成電流反饋電路,
輸出電流達(dá)到穩(wěn)定。例如,如有l(wèi)D↓→R3上的電壓↓→同相端
輸入電壓↓→運(yùn)放的輸出電壓↓→運(yùn)放輸出電壓↓(R1的電壓
Uos(c-Uk1)↑→l↑,這樣可保持恒流的穩(wěn)定性
輸出電流的大小是通過電位器RP的調(diào)節(jié)而達(dá)到的。改
。不過,因?yàn)閹ё枞龢O管多應(yīng)用在國(guó)外或合資的電子產(chǎn)品中,所
圖形符號(hào)及文字符號(hào)有較大的區(qū)別,圖2-83(b)所示為幾種常
的帶阻三極管的圖形符號(hào)。
帶阻三極管通常被用作開關(guān),當(dāng)三極管飽和導(dǎo)通時(shí)L很大,C、
極壓降較小;當(dāng)三極管截止時(shí),C、E極壓降較大,約等于供電
壓UC。管中內(nèi)置的B極電阻R越小,當(dāng)三極管截止時(shí)C、E極壓
就越低,但該電阻不能太小,否則會(huì)影響開關(guān)速度,甚至導(dǎo)致三
管損壞。
9場(chǎng)效應(yīng)晶體管及應(yīng)用
9.1場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)及圖形符號(hào)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管( Field Effect Transistor,FET)簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管
它是一種外形與三極管相似的半導(dǎo)體器件,但它與三極管的控制特
截然不同。三極管是電流控制型器件,通過控制基極電流達(dá)到控
制集電極電流或發(fā)射極電流的目的,即需要信號(hào)源提供一定的電流
才能工作,所以它的輸入阻抗較低;而場(chǎng)效應(yīng)管則是電壓控制型器
牛,它的輸出電流取決于輸入電壓的大小,基本上不需要信號(hào)源提
供電流,所以它的輸入阻抗較高。此外,場(chǎng)效應(yīng)管具有噪聲小、功
耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域
寬等優(yōu)點(diǎn),特別適用于大規(guī)模集成電路,在高頻、中頻、低頻、直
流、開關(guān)及阻抗變換電路中應(yīng)用廣泛
場(chǎng)效應(yīng)管的品種有很多,按其結(jié)構(gòu)可分為兩大類:一類是結(jié)型
場(chǎng)效應(yīng)管;另一類是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管,而且每種結(jié)構(gòu)又有N溝道
和P溝道兩種導(dǎo)電溝道
場(chǎng)效應(yīng)管一般都有3個(gè)極,即柵極G、漏極D和源極S,為方
便理解可以把它們分別對(duì)應(yīng)于三極管的基極B、集電極C和發(fā)射極
E。場(chǎng)效應(yīng)管的源極S和漏極D結(jié)構(gòu)是對(duì)稱的,在使用中可以互換
N溝道型場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)應(yīng)NPN型三極管,P溝道型場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)應(yīng)
PNP型三極管。常見場(chǎng)效應(yīng)管的外形如圖2-84所示,其圖形符號(hào)
如圖2-85所示。場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)可掃二維碼學(xué)習(xí)。